Infineon SPD07N20GBTMA1
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPD07N20GBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SIPMOSÒ Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Infineon's 200V OptiMOS products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems,DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives. | Summary of Features: Industrys lowest R DS(on); Lowest Q g and Q gd; Worlds lowest FOM RoHS compliant halogen free MSL 1 rated | Benefits: Highest efficiency; Highest power density; Lowest board space consumption; Minimal device paralleling required; System cost improvement; Enviromentally friendly; Easy-to-design-in products | Target Applications: Synchronous rectification for AC-DC SMPS; Motor control for 48V110V systems; Isolated DC-DC converters; Lighting for 110V AC networks; HID lamps; Class D audio amplifiers; Uninterruptable power supplies (UPS); LED lighting power supply
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Dual Supply Voltage200 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance400 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation40 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen