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Infineon SPD02N80C3ATMA1

MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
$ 0.559
Production
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
SPD02N80C3ATMA1
11.207
1
Cut Tape
USD
1,800
1,800
0,764
0,590
0,566
Rochester Electronics
SPD02N80C3ATMA1
580
USD
0,562
0,466
0,416
6h
Arrow Electronics
3
SPD02N80C3ATMA1
2.495
1
USD
1,529
1,529
1,529
1,529
1,529
Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1
89
1
Tape & Reel
USD
1,800
0,857
0,736
0,559
0,479
DigiKey
3
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
11.925
1
Cut Tape
USD
1,910
1,211
0,810
0,639
0,639

Datenblätter und Dokumente

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element14 APAC

Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

IHS

Newark

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-3.92%
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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)

Verwandte Teile

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STD3N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 800 V, 3-Pin DPAK
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2 A, 3.4 Ω, DPAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon SPD02N80C3ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Eurochip Technologies LTD
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2A; On Resistance Rds(On):2.4Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, TO-252; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:2A; On State Resistance:2.7ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-252; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; SVHC:Cobalt dichloride; Transistor Case Style:TO-252
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 2.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 18 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 42
Distrelec
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Infineon

Bilder

RS
Farnell
TME
Distrelec
RS
Future Electronics
DKO Electronshik

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001117754
  • SPD02N80C3
  • SPD02N80C3ATMA1.