Infineon ISP12DP06NMXTSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-03-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon ISP12DP06NMXTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 60 V 2.8 A (Ta) 1.8 W (Ta) SMT Small Signal MOSFET - PG-SOT-223-4
Mosfet, P-Ch, -60V, -2.8A, 150Deg C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 / P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Infineon PMOS, Vds=60 V, 2.8 A, SOT-223, , 3
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH 60V 2,8A 125mOhm SOT-223-4
DC-DC Regulated Power Supply Module
OptiMOS™ P-channel 60V power MOSFETs in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. Main advantage of OptiMOS™ P-channel MOSFETs is the simplifying of the design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to Microcontroller Unit (MCU), fast switching as well as avalanche ruggedness makes Infineon’s OptiMOS™ P-channel MOSFETs suitable for high quality demanding applications. The product improve efficiency at low loads due to low Qg.and is available in logic level featuring a wide RDS(on) range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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