Infineon IRLR7833TRLPBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRLR7843TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR7833TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK N-Channel 30 V 140A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 140A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
140W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 50nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 4.5mΩ@ 15A,10V 140A 4.01nF@15V DPAK，TO-252AA SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:140A; On Resistance, Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating99 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.01 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time6.9 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen