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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-07-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR7843TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Eurochip Technologies LTD

Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:161A; On Resistance, Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D-Pak ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 161 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 19 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140

Distrelec

Bilder

Infineon

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFIRLR7843TRPBF
IRLR7843TRPBF.
SP001569090

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +2.85%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Current Rating161 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance3.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time19 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.38 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance3.3 mΩ

Package Quantity2000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation140 W

Rds On Max3.3 mΩ

Resistance3.3 MΩ

Rise Time42 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.3 V

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.7056 mm

Width6.22 mm