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Infineon IRLR3103PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.019 Ohm; Id 55A; D-pak (TO-252AA); Pd 107W
$ 2.31
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRLR3103PBF
0
900
Bulk
USD
2,310
2,100
19h
Component Stockers USA
IRLR3103PBF
13.915
USD
0,480
0,480
0,510
0,490
0,490
>1wk
Win Source
WS-IRLR3103PBF
650
85
USD
0,622
0,415
0,415
7h
Worldway Electronics
IRLR3103PBF
3.959
7
USD
0,261
0,256
0,246
0,241
2d
Aztech
IRLR3103PBF
587
USD
6,220
6,220
6,220
6,220
6,220
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLR3103PBF herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRLR3103PBF
InfineonIRLR3103TRPBF
Price @ 1000
$ 2.31
$ 0.625
Stock
80,792
1,094,981
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
1 V
Rds On Max
19 mΩ
19 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
69 W
69 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.6 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR3103PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.019Ohm;ID 55A;D-Pak (TO-252AA);PD 107W
RS (Formerly Allied Electronics)
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:55A; On Resistance, Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 30V, 46A, D-PAK; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:30V; Current, Id cont:45A; Resistance, Rds on:0.019ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:1V; Case style:D-PAK (TO-252); Case style, alternate:D-PAK; Current, Idm pulse:69A; Marking, SMD:IRLR3103; Power dissipation:69W; Power, Pd:69W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.019ohm; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:SMD; Thermal resistance, junction to case a:1.8°C/W; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:30V; Voltage, Vgs th max:2V; Voltage, Vgs th min:1V
Farnell

Bilder

Infineon
Distrelec
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Distrelec
iiiC
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLR3103PBF
  • SP001558912