Infineon IRLR120NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.185 Ohm; Id 10A; D-pak (TO-252AA); Pd 48W
$ 1.12
Obsolete
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IHS

Datasheet12 SeitenVor 11 Jahren

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 10A, 165mΩ
TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN TO-252AA
10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR120NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Single N-Channel 100 V 0.265 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-252; Current Id Max:10A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Ptot Max:48W; Pulse Current Idm:35A; SMD Marking:IRLR120NPBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLR120NPBF
  • IRLR120N-PBF
  • IRLR120NPBF.
  • SP001577026