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Infineon IRLL2705TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 3.8A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-16V; -55
$ 0.481
Production
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Avnet
2
IRLL2705TRPBF
1.625
8334
USD
0,235
22h
Newark
3
IRLL2705TRPBF
7.360
1
Cut Tape
USD
1,440
1,440
0,658
0,523
0,502
Future Electronics
2
IRLL2705TRPBF
42.500
2500
Tape & Reel
USD
0,240
Arrow Electronics
3
IRLL2705TRPBF
11.961
1
USD
1,010
0,690
0,478
0,346
0,259
Flip Electronics
IRLL2705TRPBF
1.625
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLL2705TRPBF herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco (USA)

iiiC

Bestandsverlauf

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Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223-3
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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLL2705TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 3.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V;-55
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 5.2 A, 40 Milliohms, SOT-223 (TO-261AA), 4 Pins, Surface Mount
EBV Elektronik
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 0.065 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Future Electronics
Infineon N-Channel HEXFET MOSFET, Vds=55V 5.2A SOT-223 SMD 3-Pin
Unikeyic (ICkey)
IRLL2705TRPBF,MOSFET, 55V, 3.8 A, 40 MOHM, 32 NC QG, LOGIC L
Jameco (USA)
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor
ComSIT Distribution GmbH
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Pb free
Avnet Japan
Pwr Mosfet, N Channel, 55V, 3.8A; |Infineon Technologies IRLL2705TRPBF.
Newark
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
IHS
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 3.8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 40 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 12 / Turn-OFF Delay Time ns = 35 / Turn-ON Delay Time ns = 6.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1
Distrelec

Bilder

Infineon
Farnell
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Conrad
South Microelectronics
Lanka Micro
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLL2705TRPBF
  • IRLL2705TRPBF.
  • SP001558266