Infineon IRL3713PBF

Name: Infineon IRL3713PBF
Brand: Infineon
SKU: IRL3713PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 260A; TO-220AB; Pd 330W; -55DE

$ 1.03

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRL3713PBF	46.500					1,240	1,030	0,918	15h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRL3713PBF	0	1	Bulk	8,830	7,770	7,770	7,770	7,770	7h
Farnell		IRL3713PBF	0	1		2,738*	2,061*	1,559*	1,160*	1,160*	1d
Verical		IRL3713PBF	46.500	242					1,288	1,147
Win Source	2	WS-IRL3713PBF	8.900	12				3,642	3,265	3,265	16h

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Datasheet13 SeitenVor 12 Jahren

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Factory Futures

Mouser

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Usa

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-05-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRL3713PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 260A;TO-220AB;PD 330W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 30 V 4 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level

Infineon

Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:260A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:3mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:1040A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

UTSource

International Rectifier

Rochester Electronics

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFIRL3713PBF
IRL3713
IRL3713 PBF
SP001567066

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating250 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time57 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.89 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation330 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance3 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation200 W

Rds On Max3 mΩ

Resistance3 mΩ

Rise Time160 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height20.56 mm

Length10.6426 mm

Width4.82 mm

Datenblätter und Dokumente

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