Infineon IRGB4060DPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-02-28
LTD Date2019-08-31
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRGB4060DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRGB4060DPbF Series 600 V 8 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.85 V Current release time: 20 ns Power dissipation: 99 W
Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, Vces:600V; Continuous Collector Current, Ic:16A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.85V; Power Dissipation, Pd:99W RoHS Compliant: Yes
IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:99W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:16A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:99W; Power Dissipation Pd:99W; Power Dissipation Pd:99W; Pulsed Current Icm:32A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current16 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Max Collector Current16 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation99 W
Reverse Recovery Time60 ns
Rise Time21 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height22.86 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen