Infineon IRG4PF50WPBF

900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
$ 11.75
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

Verwandte Teile

LittelfuseIXYH24N90C3D1
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
MicrochipAPT35GA90B
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IXXH Series GenX4 650 V 65 A Flange Mount IGBT - TO-247AD
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Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PF50WPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.25 V Current release time: 150 ns Power dissipation: 200 W
IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:TO-247AC; Power Dissipation, Pd:200W; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:51A; Mounting Type:Through Hole; Voltage Rating:900V ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WPbF; Fall Time Max:220ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:26ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PF50WPBF
  • IRG4PF50W
  • SP001533582