Infineon IRG4BC10SDPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
$ 1.89
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4BC10SDPBF0350Bulk
9h
Win SourceWS-IRG4BC10SDPBF1.15035
18h
Worldway ElectronicsIRG4BC10SDPBF18.6657Tube
17h
AnlinkdaIRG4BC10SDPBF29.713
1d
SHENGYU ELECTRONICSIRG4BC10SDPBF11.5561
3d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG4BC10SDPBF herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 18 Jahren

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

DigiKey

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-04
LTD Date2013-05-04

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTGF19NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Details
STMicroelectronicsSTGF19NC60HD
STGF19NC60HD Series 600 V 16 A Flange Mount Very Fast IGBT - TO-220FP
Details
onsemiFGPF7N60RUFDTU
IGBT 600V 14A 41W Through Hole TO-220F
Details
onsemiHGTP7N60B3D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Details
onsemiFGPF7N60LSDTU
IGBT 600V 14A 45W Through Hole TO-220F
Details
InfineonIRGIB6B60KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC10SDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Verical
600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package
RS (Formerly Allied Electronics)
STANDARD SPEED COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.58 V Current release time: 720 ns Power dissipation: 38 W
Distrelec
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:14A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.7V; Power Dissipation, Pd:38W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, 600V, 14A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:14A; Voltage, Vce Sat Max:1.7V; Power Dissipation:38W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:18A; No. of Pins:3; Power, Pd:38W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall Max:1080ns; Time, Rise:32ns; Transistors, No. of:1
Farnell

Bilder

Augswan
Farnell
TME
Newark
Distrelec
International Rectifier

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC10SDPBF