Infineon IRFZ46ZSTRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-07-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFZ44NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20
InfineonIRFZ46NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;D2Pak;PD 107W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ44ZSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 80W;VGS +/-16V
STMicroelectronicsSTB60NF06T4
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB60NF06LT4
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFZ46ZSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 55 V 13.6 mOhm 46 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation82 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.6 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation82 W
Rds On Max13.6 mΩ
Resistance13.6 MΩ
Rise Time63 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen