Infineon IRFSL4115PBF
$ 4
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Verwandte Teile
InfineonAUIRF2804L
Automotive 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I2PAK (TO-262) package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL4410ZPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 97A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Con
onsemiFDI045N10A-F102
N-Channel 100 V 4.5 mOhm Through Hole POWERTRENCH MOSFET - I2PAK (TO-262)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL4115PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 150V, 99A, 12.1 MOHM, 77 NC QG,TO-262
Trans MOSFET N-CH 150V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:99A; On Resistance, Rds(on):10.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:4-TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance12.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.1 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max12.1 mΩ
Resistance12.1 MΩ
Rise Time73 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen