Infineon IRFS7762TRLPBF
$ 1.83
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFS7762TRLPBF | 760 | 1d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS7762TRLPBF | 0 | 5 | Bulk | 4h | |||||||
| Farnell | IRFS7762TRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 3h | |||||||
| Microchip USA | IRFS7762TRLPBF | 148 | 300 | Bulk | 7d | |||||||
| Win Source | WS-IRFS7762TRLPBF | 20.000 | 110 | 4h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFS7762TRLPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.83
$ 1.299
Stock
52,607
38,541
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
85 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.7 mΩ
6.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.44 nF
4.44 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-11-30
LTD Date2022-05-31
Verwandte Teile
InfineonIRFS7762PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
VishaySQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS7762TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Single N-Channel 75 V 6.7 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 75V, 104A, 6.3 Ohm, 88 nC, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 85A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; P
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time49 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen