Infineon IRFS4010-7PPBF
$ 5.36
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS4010TRL7PP
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; C
InfineonIRF2907ZS-7PPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3 Milliohms;ID 160A;D2Pak;PD 300W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4010-7PPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 100V, 190A, 4.0MOHM, 150NC QG, D2PAK-7
MOSFET, N-CH, 100V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:9830pF; Current Id Max:190A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Pulse Current Idm:740A; Reverse Recovery Time trr Typ:60ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)190 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.83 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation380 W
Rds On Max4 mΩ
Reverse Recovery Time60 ns
Rise Time56 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen