Infineon IRFS23N20DTRLP
$ 4.28
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS23N20DTRLP | 0 | 800 | Bulk | 20h | |||||||
| Farnell | IRFS23N20DTRLP | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRFS23N20DTRLP | 3.900 | 35 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFS23N20DTRLP | 19.162 | 7 | Tape & Reel | 3h | |||||||
| UnikeyIC | IRFS23N20DTRLP | 5.000 | 10 | Tape & Reel | 1h |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 4.28
$ 1.95
Stock
82,231
5,354
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
3.8 W
170 W
Input Capacitance
1.96 nF
1.96 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-07-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
STMicroelectronicsSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK / N-Channel 200 V 30A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS23N20DTRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N CH SMPS MOSFET, NEXFET, 200V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 24A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-30V;-55d
Single N-Channel 200 V 0.1 Ohm 57 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5.5V; Po
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen