Infineon IRFR48ZTRLPBF
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568,988
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Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
11 mΩ
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
91 W
91 W
91 W
Input Capacitance
1.72 nF
1.72 nF
1.72 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPD50N04S408ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 7.9 mOhm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIPD50N04S410ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR48ZTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
IRFR48 Series 55V 42A 91W 11mOhm SMD Single N-Channel MOSFET TO-252AA (DPAK)
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Mosfet, N-Ch, 55V, 42A, 175Deg C, 91W; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:42A; On Resistance Rds(On):0.00886Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR48ZTRLPBF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.72 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation91 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time61 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length10.3886 mm
Width6.73 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen