Infineon IRFR4620TRLPBF
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
78 mΩ
78 mΩ
78 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
144 W
Input Capacitance
1.71 nF
1.71 nF
1.71 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR4620
Automotive Q101 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK Package, DPAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR4620TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N CH POWER MOSFET, NEXFET, 200V, 24A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Single N-Channel 200 V 78 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK / Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance78 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation144 W
Rds On Max78 mΩ
Resistance78 MΩ
Rise Time22.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25.4 ns
Turn-On Delay Time13.4 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length10.3886 mm
Width6.73 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen