Infineon IRFR3704ZPBF
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRLR8259TRPBF
IRLR8259 Series 25 V 8.7 mOhm 6.8 nC Surface Mount HEXFET Power MOSFET - DPAK-3
onsemiNTD4858NAT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.2A Ta 73A Tc 13.6A 2W 25V
onsemiNTD50N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
onsemiNTD50N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR3704ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 6.7Milliohms;ID 60A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):8.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:60A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Pulse Current Idm:240A; SMD Marking:IRFR3704Z; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation48 W
Rds On Max8.4 mΩ
Recovery Time19 ns
Rise Time8.9 ns
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time4.9 ns
Turn-On Delay Time41 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen