Infineon IRFP4468PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2025-02-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP2907PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 209A;TO-247AC;PD 470W;-55de
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4468PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFP4468PBF N-channel MOSFET Transistor, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 520 W
Single N-Channel 100 V 2.6 mOhm 540 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
N CHANNEL MOSFET, 100V, 290A, TO-247AC;; N CHANNEL MOSFET, 100V, 290A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:290A; Drain Source ; Available until stocks are exhausted Alternatives available
N Channel Mosfet, 100V, 290A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:290A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP4468PBF.
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, 100V 290A TO-247AC; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:100V; Cont Current Id:290A; On State Resistance:2mohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Typ Voltage Vgs th:4V; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to + 175°C; Max Voltage Vds:100V; Power Dissipation:520W; Pulse Current Idm:1120A; Transistor Case Style:TO-247AC
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time260 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance19.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation520 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation520 W
Rds On Max2.6 mΩ
Resistance2.6 MΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Datenblätter und Dokumente
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