Infineon IRFP2907PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 4.5MILLIOHMS; Id 209A; TO-247AC; Pd 470W; -55DE
$ 2.521
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRFP2907PBF33325
5h
NewarkIRFP2907PBF7321
Arrow ElectronicsIRFP2907PBF3891
Future Electronics
2
IRFP2907PBF2.07525Tube
Rochester ElectronicsIRFP2907PBF720
3h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 14 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 20 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 20 Jahren

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFP3077PBF
IRFP3077PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 75 V, 3-Pin TO-247AC
Details
InfineonAUIRFP2907
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Package, TO247-3, RoHS
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InfineonIRFP2907ZPBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 70A Tc 70A 190W 250ns
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFP2907PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 209A;TO-247AC;PD 470W;-55de
RS (Formerly Allied Electronics)
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IRFP2907PBF,MOSFET, 75V, 177A, 4.5 MOHM, 410 NC QG, TO-247AC
Jameco
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
IHS
N CH MOSFET, 75V, 209A, TO-247AC; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:209A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:470W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Current Id Max:209A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:470W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:840A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
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iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
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UTSource
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International Rectifier
Future Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFP 2907
  • IRFP2907
  • IRFP2907 PBF
  • IRFP2907-PBF
  • IRFP2907PBF.
  • SP001571058