Infineon IRFI4019H-117P
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-01-11
LTD Date2021-01-11
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFI4019H-117P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 150V 8.7A 5-Pin TO-220FP Tube
Dual N-Channel 150 V 95 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-5
MOSFET, DUAL N CH., DIGITAL AUDIO, 5-PIN TO-220, 150V, 80MOHM, 8.7A, 4.1 NC
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220-5 Polarity: N Power dissipation: 18 W
DIGITAL AUDIO MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 150V, 0.095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, NN CH, 150V, TO-220 F-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:18W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8.7A; Drain Source Voltage Vds:150V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):80mohm; Power Dissipation Pd:18W
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-5
MountThrough Hole
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance810 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4.9 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance95 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation18 W
Rds On Max95 mΩ
Recovery Time86 ns
Resistance95 MΩ
Rise Time6.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.9 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6172 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen