Infineon IRFH7921TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
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SI7114ADN-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
onsemiNTMFS4945NT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.4A Ta 35A Tc 35A 2.54W 30V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH7921TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 8.5 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 30V, 15A, 8.5 MOHM, 9.3 NC QG, PQFN
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R
3.1W(Ta) 20V 2.35V@ 25¦ÌA 14nC@ 4.5 V 1N 30V 8.5m¦¸@ 15A,10V 15A,34A 1.21nF@15V QFN 6mm*5mm*830¦Ìm
IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
MOSFET, N-CH, 30V, 15A, 8PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:15mA; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.1W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time4.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time7.6 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length5.2324 mm
Width6.2484 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen