Infineon IRFH7440TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH5301TRPBF
INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
InfineonIRFH5300TRPBF
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH7440TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 92 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free PQFN 5x6mm package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
T&R / MOSFET, 40V, 85A, 2.4 mOhm, 92 nC Qg, PQFN56
Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R / MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 104 W
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N-CH, 40V, 85A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageQFN EP
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.574 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation104 W
Rds On Max2.4 mΩ
Resistance2.4 MΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.85 mm
Width5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen