Infineon IRFH5220TR2PBF
$ 2.049
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-05-12
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH5220TR2PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6mm package
Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 8-Pin PQFN EP T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 0.0999ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,W DIO,N CH,200V,3.8A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance99.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.38 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.3 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max99.9 mΩ
Recovery Time59 ns
Resistance99.9 MΩ
Rise Time4.7 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height850 µm
Length6 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen