Infineon IRFB7530PBF
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NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFB7534PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220 package, TO220-3, RoHS
InfineonIRFB3206PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB7530PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220 package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 2 mOhm 274 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, 60V, 195A, 2 MOHM, 274 NC QG, TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time104 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.703 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max2 mΩ
Rise Time141 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time172 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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