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Infineon IRF7831PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 3.1MILLIOHMS; Id 21A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-12V
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF7831PBF
0
3800
Bulk
USD
1,823
16h
Component Search
IRF7831PBF
753
4h
Win Source
WS-IRF7831PBF
3.395
35
USD
1,203
0,978
0,978
4h
Worldway Electronics
IRF7831PBF
5.952
7
Bulk
USD
0,270
0,265
0,255
0,250
2h
ICPartonline
IRF7831PBF
21.140
USD
0,687
0,653
0,618
0,584
0,550
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 21 Jahren

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF8788PBF
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Details
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Details
InfineonIRF7455PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;gFS 4
Details
onsemiFDS8870
Single N-Channel 30 V 2.5 W 112 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Details
onsemiFDS6681Z
P-Channel 30 V 4.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Details
onsemiFDS8813NZ
N-Channel 30 V 4.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7831PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:21A; On Resistance, Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:21A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:170A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7831PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.35V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 7831PBF
  • IRF 7831PBF
  • SP001551568