Infineon IRF7468PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
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N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7468PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 11.7 Milliohms;ID 9.4A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Single N-Channel 40 V 15.5 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOIC-8 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.5 W
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.4A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:75A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7468PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Current Rating9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15.5 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max15.5 mΩ
Resistance15.5 MΩ
Rise Time2.3 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen