Infineon IRF7201PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.03 Ohm; Id 7.3A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V; -55D
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7201PBF03800Bulk
6h
FarnellIRF7201PBF05
16h
Win SourceWS-IRF7201PBF45025
17h
Worldway ElectronicsIRF7201PBF16.0327Tube
16h
ICPartonlineIRF7201PBF12.650
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 21 Jahren

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

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Details
VishaySI4532CDY-T1-GE3
SI4532CDY-T1-GE3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,4.3 A,6 A,30V,8-PIN SOIC
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7201PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 0.03 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
Verical
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:58A; SMD Marking:F7201; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
Jameco
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF 7201PBF
  • IRF7201 PBF
  • IRF7201PBF.
  • SP001559738