Infineon IRF6635TRPBF
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Price @ 1000
$ 4.11
Stock
400,909
378,270
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
32 A
32 A
Threshold Voltage
1.8 V
-
Rds On Max
1.8 mΩ
1.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
89 W
Input Capacitance
5.97 nF
5.97 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-07-04
LTD Date2008-12-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6635TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Target Applications: eFuse; HotSwap; MultiPhase SyncFET; ORing
DirectFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes., MG-WDSON-5, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET "N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX"
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:25A; On Resistance, Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MX ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time8.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max1.8 mΩ
Resistance1.8 MΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen