Infineon IRF640NSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.15 Ohm; Id 18A; D2PAK; Pd 150W; Vgs +/-20V; -55
$ 0.552
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRF640NSTRLPBF13.600800
4d
Newark
3
IRF640NSTRLPBF8241Cut Tape
Future Electronics
3
IRF640NSTRLPBF56.000800Tape & Reel
Arrow Electronics
4
IRF640NSTRLPBF1.5161
DigiKey
3
IRF640NSTRLPBFCT-ND1.5811Cut Tape

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

DigiKey

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF640NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
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Details
STMicroelectronicsSTB19NF20
N-channel 200 V, 0.11 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF640NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor MOSFET N Channel 200 Volt 18 .6 Amp 3 Pin 2+ Tab D2pak Tape and Reel
Jameco
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Win Source
Single N-Channel 200V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:150W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF.
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 150 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.5 / Rise Time ns = 19 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 150
Distrelec

Bilder

Infineon
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF640NSTRLPBF.
  • SP001561810