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Infineon IRF640NSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.15 Ohm; Id 18A; D2PAK; Pd 150W; Vgs +/-20V; -55
$ 0.621
Production
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Avnet
2
IRF640NSTRLPBF
12.000
800
USD
0,509
0,449
9h
Newark
4
IRF640NSTRLPBF
2.193
1
Cut Tape
USD
2,300
2,300
1,090
1,020
0,981
Future Electronics
3
IRF640NSTRLPBF
39.200
800
Tape & Reel
USD
0,585
0,560
Rochester Electronics
IRF640NSTRLPBF
800
USD
0,702
0,583
0,520
7h
Arrow Electronics
2
IRF640NSTRLPBF
2.316
1
USD
2,303
2,303
2,303
2,303
2,303

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF640NSTRLPBF herunter.

Newark

Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren

element14 APAC

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco (USA)

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF640NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
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STMicroelectronicsSTB19NF20
N-channel 200 V, 0.11 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF640NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor MOSFET N Channel 200 Volt 18 .6 Amp 3 Pin 2+ Tab D2pak Tape and Reel
Jameco (USA)
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Win Source
Single N-Channel 200V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
N Channel Mosfet, 200V, 18A, D2-Pak; Tra |Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF.
Newark
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 150 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.5 / Rise Time ns = 19 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 150
Distrelec

Bilder

Infineon
element14 APAC
Augswan
Newark
element14
South Microelectronics
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS
Conrad
Future Electronics
LCSC
Jameco (USA)
Rochester Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF640NSTRLPBF.
  • SP001561810