Infineon IRF630NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.3 Ohm; Id 9.3A; TO-220AB; Pd 82W; Vgs +/-20V
$ 0.467
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF630NPBF7050
3d
Future Electronics
2
IRF630NPBF29.38850Tube
Arrow Electronics
3
IRF630NPBF8.0221
RutronikTMOSP118323.25050
9h
Rochester ElectronicsIRF630NPBF1.545
1h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

IHS

Factory Futures

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

Verwandte Teile

VishayIRF630PBF
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200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF630NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.3Ohm;ID 9.3A;TO-220AB;PD 82W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; 0.4ohm; 0.57W; -55+150 deg.C; THT; TO220
Maritex
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
200V 9.3A 82W 300m´Î@10V5.4A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 36 W
Distrelec
N Channel Mosfet, 200V, 9.3A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:9.3A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF630NPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:82W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.3A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.83°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:82W; Power Dissipation Pd:82W; Pulse Current Idm:37A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
element14 APAC

Bilder

Infineon
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Jameco
LCSC
Jameco
Rochester Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 630N
  • 630NPBF
  • IRF630N
  • IRF630NPBF.
  • SP001564792