Infineon IRF6215STRRPBF

Name: Infineon IRF6215STRRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6215STRRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -150V; Rds(on) 0.29 Ohm; Id -13A; D2PAK; Pd 110W; Vgs +/-20V

$ 1.44

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6215STRRPBF	0	800	Bulk				1,440	1,370	5h
Win Source	WS-IRF6215STRRPBF	4.610	1		61,286	40,857	40,857	40,857	40,857	14h
Worldway Electronics	IRF6215STRRPBF	12.140	7	Tape & Reel		4,526	4,388	4,157	4,157	13h
SHENGYU ELECTRONICS	IRF6215STRRPBF	9.590	1		0,316	0,310	0,300	0,290	0,280	3d
Bison Technologies	IRF6215STRRPBF-286895	800					0,460	0,460	0,460	>1wk

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

element14

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF6215STRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 150 V 0.29 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-13A; On Resistance, Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:110W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Bilder

Infineon

Newark

Future Electronics

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

SP001554086

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Current Rating-13 A

Drain to Source Breakdown Voltage-150 V

Drain to Source Resistance290 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time37 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance860 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation110 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance290 mΩ

Package Quantity800

Power Dissipation110 W

Rds On Max290 mΩ

Resistance290 mΩ

Rise Time36 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time53 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)-150 V

Dimensions

Height4.826 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

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