Infineon IRF3315STRLPBF
$ 2.13
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3315STRLPBF | 0 | 10 | Bulk | 7h | |||||||
| Farnell | IRF3315STRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Microchip USA | IRF3315S | 283 | 600 | Tube | 7h | |||||||
| Win Source | WS-IRF3315S | 6.578 | 60 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3315S | 18.771 | 7 | Tube | 14h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRF6215STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF6215STRRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3315STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150 V 0.082 Ohm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:21A; On Resistance, Rds(on):82mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance82 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation94 W
Rds On Max82 mΩ
Resistance82 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen