Infineon IRF540NLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 44MILLIOHMS; Id 33A; TO-262; Pd 130W; Vgs +/-2
$ 1.346
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF540NLPBF22.000
21h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF540NLPBF010Bulk
14h
FarnellIRF540NLPBF01
7h
Microchip USA
2
IRF540NL243600Tube
1d
VericalIRF540NLPBF22.000341

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 20 Jahren

Newark

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF540NLPBF
InfineonIRF540NLPBF
Price @ 1000
$ 1.346
$ 1.346
Stock
355,957
355,957
Authorized Distributors
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
33 A
33 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
44 mΩ
44 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
130 W
130 W
Input Capacitance
1.96 nF
1.96 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Details
onsemiFDI150N10
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF540NLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-262;PD 130W;VGS +/-2
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = I2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130
Distrelec

Bilder

Infineon
Farnell
RS APAC
TME
element14
LZChips
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF540NL
  • IRF540NLPBF.
  • SP001571292