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Infineon IRF5210PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.06 Ohm; Id -40A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs +/-20
$ 1.085
Production
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
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Verpackung
Staffelpreise
Arrow Electronics
2
IRF5210PBF
70.699
1
USD
1,267
1,267
1,032
0,938
0,919
Avnet
2
IRF5210PBF
1.964
1
USD
1,260
1,241
1,007
1,007
1,007
23h
Future Electronics
2
IRF5210PBF
39.950
50
Tube
USD
1,080
1,050
1,020
Rutronik
TMOSP11799
3.950
1K
USD
0,884
0,708
4h
Rochester Electronics
IRF5210PBF
29.000
USD
1,350
1,120
0,999
21h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5210PBF herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 28 Jahren

element14 APAC

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco (USA)

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF5210PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 200 W
Distrelec
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Verical
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
P Channel Mosfet, -100V, 40A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF5210PBF
Sensible Micro
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
RS APAC
element14 APAC
Farnell
TME
RS APAC
Micros
Conrad
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
South Microelectronics
Distrelec
UTSource
UTSource
B+D Enterprises
International Rectifier
Jameco (USA)
RS APAC
LCSC
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF-5210
  • IRF5210
  • IRF5210PBF.
  • IRF5210PBF..
  • SP001559642