Infineon IPZA60R060P7XKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPZA60R060P7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 60 mOhm Industrial Grade CoolMOS P7 Mosfet - TO-247-4
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 4-Pin TO-247 Tube
Infineon NMOSFET + CoolMOS P7, Vds=650 V, 151 A, TO-247-4, , 4
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use, PG-TO247-4, RoHS
Infineon SCT
Infineon MOSFET IPZA60R060P7XKSA1
RS APAC
Mosfet, N-Ch, 600V, 48A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.049Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPZA60R060P7XKSA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation164 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation164 W
Turn-Off Delay Time79 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height25.27 mm
Datenblätter und Dokumente
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