Infineon IPW65R018CFD7XKSA1

Name: Infineon IPW65R018CFD7XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPW65R018CFD7XKSA1

Mosfet, N-Ch, 650V, 106A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1

$ 9.758

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPW65R018CFD7XKSA1	232	1		20,210	18,150	13,520	13,130	13,130
Arrow Electronics		IPW65R018CFD7XKSA1	100	1		9,412	9,412	9,412	9,412	9,412
Rochester Electronics		IPW65R018CFD7XKSA1	19					9,270	8,300	7,810	23h
DigiKey		448-IPW65R018CFD7XKSA1-ND	497	1	Tube	18,340	18,340	11,368	9,270	9,270
Future Electronics	2	IPW65R018CFD7XKSA1	0	30	Tube			15,070	14,840	14,840

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IHS

Datasheet14 SeitenVor 0 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-05-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPW65R018CFD7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet, N-Ch, 650V, 106A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 650V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Infineon’s 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPW65R018CFD7 in TO-247 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50 V breakdown voltage.

Infineon

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: