Infineon IPU60R2K1CEAKMA1
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NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPU60R2K1CEAKMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 2.3 A 2100 mO 6.7 nC CoolMOS CE Power Transistor - IPAK, PG-TO251-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
22KW 20V 3.5V 6.7nC@ 10V 600V 2.1¦¸@ 10V 140pF@ 100V TO-251 6.22mm
Power Field-Effect Transistor, 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Infineon MOSFET IPU60R2K1CEAKMA1
600VCoolMOS CE Power Transistor
IC AMP GENERAL PURPOSE 8CERDIP
IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER;
Very high commutation ruggedness
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.1 Ω
Package Quantity1500
Power Dissipation22 W
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height8.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen