Infineon IPT60R080G7XTMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-01-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPT60R080G7XTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 600V 29A 8-Pin HSOF T/R
Avnet Japan
A new SMD package using Kelvin source concept, PG-HSOF-8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS IPT60R, Vds=600 V, 29 A, HSOF-8, , 8
IPT60R080 - 600V COOLMOS N-CHANN
Mosfet, N Ch, 600V, 29A, Hsof; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.069Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1
For the first time the CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.40%
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance80 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation167 W
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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