Infineon IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPT030N12N3GATMA1

Mosfet, N-Ch, 120V, 237A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT030N12N3GATMA1

$ 2.88

Production

Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPT030N12N3GATMA1	1.438	1	Cut Tape	6,570	4,560	3,320	3,160	3,160
Arrow Electronics		IPT030N12N3GATMA1	2.000	1		3,670	3,233	2,839	2,839	2,839
Rutronik		TMOS3652	2.000	2K						2,280	1h
Rochester Electronics		IPT030N12N3GATMA1	22.185					2,430	2,180	2,050	18h
DigiKey	3	448-IPT030N12N3GATMA1CT-ND	4.868	1	Cut Tape	6,630	4,449	3,213	2,988	2,988

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +5.49%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPT030N12N3GATMA1 herunter.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

+5.49%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPT030N12N3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
EE Concierge	SymbolFußabdruck
Ultra Librarian	SymbolFußabdruck		Herunterladen

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-11-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPT030N12N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet, N-Ch, 120V, 237A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT030N12N3GATMA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 120V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 237A I(D), 120V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon NMOS OptiMOS, Vds=120 V, 237 A, HSOF-8, , 8

UnikeyIC

2.4 mm 3.8 W 1 21.2 ns 51.8 ns 175 °C -55 °C 2.5 mΩ

Augswan

The IPT030N12N3 G is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance (RDS(on)). Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120 V technology meets TO-Leadless package, optimized for high-current applications. The TOLL package is the perfect solution for high power density applications that benefit from 30 percent smaller footprint compared to D2PAK 7-pin and lower package inductances.

Infineon

Bilder

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: