Infineon IPT026N10N5ATMA1
$ 1.809
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2019-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPT026N10N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Mosfet, N-Ch, 100V, 202A, 175Deg C, 214W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT026N10N5ATMA1
Infineon NMOS, Vds=100 V, 202 A, D2PAK £¨TO-263
Power Field-Effect Transistor, 202A I(D), 100V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
100V, 202A, 2.6mOhm, N-Channel, HSOF-8
Infineon’s OptiMOS™ 5 100V n-channel power MOSFET IPT026N10N5 in TO-Leadless (TOLL) package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as POL (point-of-load), forklift, light electric vehicles (LEV) and telecom power supply. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TOLL is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)202 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen