Infineon IPT019N08N5ATMA1
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | SymbolFußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-05-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPT019N08N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 80V 247A 8-Pin HSOF T/R
IPT019 Series 80 V 32A 231W SMD Single N-Channel MOSFET HSOF-8
Mosfet, N-Ch, 80V, 247A, 175Deg C, 231W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF / N-Channel 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Power Field-Effect Transistor, 247A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
INFINEON MOSFET IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
NMOS, Vds=80 V, 247 A, PG-HSOF-8
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V n-channel power MOSFET IPT019N08N5 in TO-Leadless package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TO-Leadless (TOLL) is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)247 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation231 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation231 W
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen