Infineon IPP65R125C7XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP28N65M2
N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP28NM50N
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP65R125C7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 650 V 18 A 101 W 111 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
INFINEON IPP65R125C7Power MOSFET, N Channel, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 650V, 18A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; P
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.67 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation101 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation101 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen