Infineon IPP60R385CPXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF10N65K3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP60R385CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 650 V 0.385 Ohm CoolMOSTM Power Transistor - PG-TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 9 A, 350Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
83W(Tc) 20V 3.5V@ 340¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 650V 385m¦¸@ 5.2A,10V 9A 790pF@100V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:9A; On State Resistance:0.385ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):385mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:9A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:83W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance385 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance385 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation83 W
Rds On Max385 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen