Infineon IPP60R190P6XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole
$ 1.14
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPP60R190P6XKSA1 herunter.

IHS

Datasheet19 SeitenVor 0 Jahren

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+9.92%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPP60R190P6XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220
139W 20V 2.5V 32nC@ 10V 1N 650V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
onsemiFCP190N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 20.2A, 199mΩ, TO-220

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPP60R190P6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20.2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.171ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 20.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 600 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 190 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 151

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPP60R190P6
  • SP001017066