Infineon IPP60R180P7XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP60R180P7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 180 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Optimized power MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
72W 20V 4V 25nC@ 10V 2N 600V 180m¦¸@ 10V 11A 1.081nF@ 400V SOP-8,TO-220,TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.145Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1
The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance180 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation72 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height20.7 mm