Infineon IPP60R099P6XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
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N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
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InfineonIPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP60R099P6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Mosfet, N-Ch, 600V, 37.9A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:37.9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP60R099P6XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)37.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.33 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation278 W
Rds On Max99 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.5 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen