Infineon IPP048N12N3GXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP048N12N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
300W 20V 3V 137nC@ 10V 1N 120V 4.8m¦¸@ 10V 100A 9.03nF@ 60V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.03 nF
Max Dual Supply Voltage120 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.8 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation300 W
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height20.7 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen